2SJ652-1E这款芯片的主要参数，其详细信息如下：
制造商：ON Semiconductor
产品种类：MOSFET
RoHS：是
技术：Si
安装风格：Through Hole
封装/箱体：TO-220-3
通道数量：1 Channel
晶体管极性：P-Channel
Vds-漏源极击穿电压：60V
Id-连续漏极电流：28A
Rds On-漏源导通电阻：28.5mOhms
Vgs-栅极-源极电压：20V
Qg-栅极电荷：80nC
最小工作温度：-55°C
最大工作温度：+150°C
Pd-功率耗散：30W
配置：Single
封装：Tube
系列：2SJ652
晶体管类型：1P-Channel
商标：ON Semiconductor
下降时间：180ns
产品类型：MOSFET
上升时间：210ns
工厂包装数量：50
子类别：MOSFETs
典型关闭延迟时间：310ns
典型接通延迟时间：33ns
单位重量：6g
